RoHS1030−µF8.0MRF
1SV323,H3FФото приведено для справки; внешний вид реальной детали может отличаться.

1SV323,H3F

Производитель: Toshiba

Коэффициент перекрытия по ёмкости: 4.3@C1 В/C4 В; Конфигурация диодов: Независимый; Постоянное обратное напряжение: 10 В · SOD-523 · Варикапы

ДаташитСоответствует RoHS
Количество на складе5,550
Срок поставки1-3 дн.
Мин. количество в упаковке (MPQ)5

Цены по количеству (USD)

КоличествоЦена за шт.
5+$0.0778
50+$0.068
150+$0.063
500+$0.0593
2,500+$0.0564
4,000+$0.0549
Итого:

+86 13760275678 · [email protected]

Цены и наличие носят справочный характер — подтвердите при обращении.

Характеристики

Артикул1SV323,H3F
ПроизводительToshiba
КатегорияДискретные полупроводники
ПодкатегорияВарикапы
КорпусSOD-523
Коэффициент перекрытия по ёмкости4.3@C1 В/C4 В
Конфигурация диодовНезависимый
Постоянное обратное напряжение10 В
RoHSДа
Мин. количество в упаковке (MPQ)5
Срок поставки1-3 дн.
Количество на складе5,550
ДаташитДаташит (PDF)

Описание

1SV323,H3F — Варикапы, производитель Toshiba. Корпус: SOD-523. Основные параметры: Коэффициент перекрытия по ёмкости: 4.3@C1 В/C4 В; Конфигурация диодов: Независимый; Постоянное обратное напряжение: 10 В. Наличие, цены по количеству и сроки поставки подтверждаются при обращении к нам.

Похожие товары