RoHS1030−µF8.0MRF
MMBFJ175LT1GФото приведено для справки; внешний вид реальной детали может отличаться.

MMBFJ175LT1G

Производитель: onsemi

Сопротивление канала (Rds): 125 Ом; Ток стока: 7 мА@15 В; Рабочая температура: -55℃~+150℃@(Tj) · SOT-23 · JFET-транзисторы

ДаташитСоответствует RoHS
Количество на складе18,315
Срок поставки1-3 дн.
Мин. количество в упаковке (MPQ)5

Цены по количеству (USD)

КоличествоЦена за шт.
5+$0.1817
50+$0.1428
150+$0.1262
500+$0.1054
3,000+$0.0853
6,000+$0.0797
Итого:

+86 13760275678 · [email protected]

Цены и наличие носят справочный характер — подтвердите при обращении.

Характеристики

АртикулMMBFJ175LT1G
Производительonsemi
КатегорияДискретные полупроводники
ПодкатегорияJFET-транзисторы
КорпусSOT-23
Сопротивление канала (Rds)125 Ом
Ток стока7 мА@15 В
Рабочая температура-55℃~+150℃@(Tj)
RoHSДа
Мин. количество в упаковке (MPQ)5
Срок поставки1-3 дн.
Количество на складе18,315
ДаташитДаташит (PDF)

Описание

MMBFJ175LT1G — JFET-транзисторы, производитель onsemi. Корпус: SOT-23. Основные параметры: Сопротивление канала (Rds): 125 Ом; Ток стока: 7 мА@15 В; Рабочая температура: -55℃~+150℃@(Tj). Наличие, цены по количеству и сроки поставки подтверждаются при обращении к нам.