RoHS1030−µF8.0MRF
BAR9002ELE6327XTMA1图片仅供参考,实物外观可能有所不同。

BAR9002ELE6327XTMA1

制造商: Infineon

隔离: 16.9dB; 插入损耗: 0.18dB; 工作温度: -55℃~+125℃ · 0402 · 射频二极管

数据手册符合 RoHS
库存数量1,595
交货期1-3 天
最小包装数量 (MPQ)5

阶梯价格(美元)

数量单价
5+$0.2264
50+$0.1793
150+$0.1591
500+$0.1283
2,500+$0.1171
5,000+$0.1104
总价:

+86 13760275678 · [email protected]

价格与库存为参考数据,请联系我们确认。

规格参数

产品型号BAR9002ELE6327XTMA1
制造商Infineon
分类分立半导体
子分类射频二极管
封装0402
隔离16.9dB
插入损耗0.18dB
工作温度-55℃~+125℃
RoHS是
最小包装数量 (MPQ)5
交货期1-3 天
库存数量1,595
数据手册数据手册 (PDF)

产品描述

BAR9002ELE6327XTMA1 — Infineon 的射频二极管。 封装:0402。 主要参数:隔离: 16.9dB; 插入损耗: 0.18dB; 工作温度: -55℃~+125℃。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。