RoHS1030−µF8.0MRF
IS25LP080D-JNLE-TR图片仅供参考,实物外观可能有所不同。

IS25LP080D-JNLE-TR

制造商: ISSI

编程/擦除次数: 100,000 次; 待机电源电流: 8uA; 页编程时间: 200us · SOIC-8 · 存储芯片

数据手册符合 RoHS
库存数量2,127
交货期1-3 天
最小包装数量 (MPQ)1

阶梯价格(美元)

数量单价
1+$1.0892
10+$0.8664
30+$0.7559
100+$0.6453
500+$0.5793
1,000+$0.5463
总价:

+86 13760275678 · [email protected]

价格与库存为参考数据,请联系我们确认。

规格参数

产品型号IS25LP080D-JNLE-TR
制造商ISSI
分类集成电路 (IC)
子分类存储芯片
封装SOIC-8
编程/擦除次数100,000 次
待机电源电流8uA
页编程时间200us
RoHS是
最小包装数量 (MPQ)1
交货期1-3 天
库存数量2,127
数据手册数据手册 (PDF)

产品描述

IS25LP080D-JNLE-TR — ISSI 的存储芯片。 封装:SOIC-8。 主要参数:编程/擦除次数: 100,000 次; 待机电源电流: 8uA; 页编程时间: 200us。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。