图片仅供参考，实物外观可能有所不同。特性: 欠压保护; 下降时间: 75ns; 负载类型: MOSFET; IGBT · SOIC-8 · 栅极驱动器
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | $1.3398 |
| 10+ | $1.1559 |
| 30+ | $1.0541 |
| 100+ | $0.9408 |
| 500+ | $0.5977 |
| 1,000+ | $0.5747 |
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价格与库存为参考数据，请联系我们确认。
| 产品型号 | NCP5109BDR2G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 集成电路 (IC) |
| 子分类 | 栅极驱动器 |
| 封装 | SOIC-8 |
| 特性 | 欠压保护 |
| 下降时间 | 75ns |
| 负载类型 | MOSFET |
| 其他参数 | IGBT |
| RoHS | 是 |
| 最小包装数量 (MPQ) | 1 |
| 交货期 | 1-3 天 |
| 库存数量 | 6,681 |
| 数据手册 | 数据手册 (PDF) |
NCP5109BDR2G — onsemi 的栅极驱动器。 封装：SOIC-8。 主要参数：特性: 欠压保护; 下降时间: 75ns; 负载类型: MOSFET; IGBT。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。
