RoHS1030−µF8.0MRF
THS6212IRHFR图片仅供参考,实物外观可能有所不同。

THS6212IRHFR

噪声密度: 2.5nV/√Hz@1MHz; 共模抑制比: 65dB; 输入失调电压漂移: 40uV/℃ · VQFN-24-EP(4x5) · 通信芯片

数据手册符合 RoHS
库存数量152
交货期1-3 天
最小包装数量 (MPQ)1

阶梯价格(美元)

数量单价
1+$1.2096
10+$1.0153
30+$0.9092
100+$0.7362
500+$0.6823
1,000+$0.6579
总价:

+86 13760275678 · [email protected]

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规格参数

产品型号THS6212IRHFR
制造商Texas Instruments
分类集成电路 (IC)
子分类通信芯片
封装VQFN-24-EP(4x5)
噪声密度2.5nV/√Hz@1MHz
共模抑制比65dB
输入失调电压漂移40uV/℃
RoHS是
最小包装数量 (MPQ)1
交货期1-3 天
库存数量152
数据手册数据手册 (PDF)

产品描述

THS6212IRHFR — Texas Instruments 的通信芯片。 封装:VQFN-24-EP(4x5)。 主要参数:噪声密度: 2.5nV/√Hz@1MHz; 共模抑制比: 65dB; 输入失调电压漂移: 40uV/℃。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。