RoHS1030−µF8.0MRF
NCL2801CDBDR2GФото приведено для справки; внешний вид реальной детали может отличаться.

NCL2801CDBDR2G

Производитель: onsemi

Число каналов: 1; Ключевой транзистор: Внешний; Рабочая температура: -40℃~+125℃ · SOIC-8 · Коррекция коэффициента мощности (PFC)

ДаташитСоответствует RoHS
Количество на складе2,495
Срок поставки1-3 дн.
Мин. количество в упаковке (MPQ)1

Цены по количеству (USD)

КоличествоЦена за шт.
1+$0.5863
10+$0.4671
30+$0.4083
100+$0.3479
500+$0.312
1,000+$0.294
Итого:

+86 13760275678 · [email protected]

Цены и наличие носят справочный характер — подтвердите при обращении.

Характеристики

АртикулNCL2801CDBDR2G
Производительonsemi
КатегорияИнтегральные схемы (ИС)
ПодкатегорияКоррекция коэффициента мощности (PFC)
КорпусSOIC-8
Число каналов1
Ключевой транзисторВнешний
Рабочая температура-40℃~+125℃
RoHSДа
Мин. количество в упаковке (MPQ)1
Срок поставки1-3 дн.
Количество на складе2,495
ДаташитДаташит (PDF)

Описание

NCL2801CDBDR2G — Коррекция коэффициента мощности (PFC), производитель onsemi. Корпус: SOIC-8. Основные параметры: Число каналов: 1; Ключевой транзистор: Внешний; Рабочая температура: -40℃~+125℃. Наличие, цены по количеству и сроки поставки подтверждаются при обращении к нам.