RoHS1030−µF8.0MRF
NCL2801CDADR2GФото приведено для справки; внешний вид реальной детали может отличаться.

NCL2801CDADR2G

Производитель: onsemi

Рабочая температура: -40℃~+125℃; Топология: Повышающий · SOIC-8 · Коррекция коэффициента мощности (PFC)

ДаташитСоответствует RoHS
Количество на складе12,928
Срок поставки1-3 дн.
Мин. количество в упаковке (MPQ)1

Цены по количеству (USD)

КоличествоЦена за шт.
1+$0.4351
10+$0.3399
30+$0.2989
100+$0.248
500+$0.2266
1,000+$0.2118
Итого:

+86 13760275678 · [email protected]

Цены и наличие носят справочный характер — подтвердите при обращении.

Характеристики

АртикулNCL2801CDADR2G
Производительonsemi
КатегорияИнтегральные схемы (ИС)
ПодкатегорияКоррекция коэффициента мощности (PFC)
КорпусSOIC-8
Рабочая температура-40℃~+125℃
ТопологияПовышающий
RoHSДа
Мин. количество в упаковке (MPQ)1
Срок поставки1-3 дн.
Количество на складе12,928
ДаташитДаташит (PDF)

Описание

NCL2801CDADR2G — Коррекция коэффициента мощности (PFC), производитель onsemi. Корпус: SOIC-8. Основные параметры: Рабочая температура: -40℃~+125℃; Топология: Повышающий. Наличие, цены по количеству и сроки поставки подтверждаются при обращении к нам.