RoHS1030−µF8.0MRF
STGIPN3H60T-HФото приведено для справки; внешний вид реальной детали может отличаться.

STGIPN3H60T-H

Производитель: STMicroelectronics

Тип: IGBT; Напряжение изоляции: 1000Vrms · DIP-26 · Силовые драйверные модули

ДаташитСоответствует RoHS
Количество на складе22
Срок поставки1-3 дн.
Мин. количество в упаковке (MPQ)1

Цены по количеству (USD)

КоличествоЦена за шт.
1+$9.8071
10+$8.4423
30+$7.2531
100+$6.5551
Итого:

+86 13760275678 · [email protected]

Цены и наличие носят справочный характер — подтвердите при обращении.

Характеристики

АртикулSTGIPN3H60T-H
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияДискретные полупроводники
ПодкатегорияСиловые драйверные модули
КорпусDIP-26
ТипIGBT
Напряжение изоляции1000Vrms
RoHSДа
Мин. количество в упаковке (MPQ)1
Срок поставки1-3 дн.
Количество на складе22
ДаташитДаташит (PDF)

Описание

STGIPN3H60T-H — Силовые драйверные модули, производитель STMicroelectronics. Корпус: DIP-26. Основные параметры: Тип: IGBT; Напряжение изоляции: 1000Vrms. Наличие, цены по количеству и сроки поставки подтверждаются при обращении к нам.