RoHS1030−µF8.0MRF
STGIPQ3H60T-HZSФото приведено для справки; внешний вид реальной детали может отличаться.

STGIPQ3H60T-HZS

Производитель: STMicroelectronics

Тип: IGBT; Напряжение изоляции: 1500Vrms · DIP-26 · Силовые драйверные модули

ДаташитСоответствует RoHS
Количество на складе10
Срок поставки1-3 дн.
Мин. количество в упаковке (MPQ)1

Цены по количеству (USD)

КоличествоЦена за шт.
1+$13.3245
10+$12.7371
30+$11.7186
100+$10.8301
Итого:

+86 13760275678 · [email protected]

Цены и наличие носят справочный характер — подтвердите при обращении.

Характеристики

АртикулSTGIPQ3H60T-HZS
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияДискретные полупроводники
ПодкатегорияСиловые драйверные модули
КорпусDIP-26
ТипIGBT
Напряжение изоляции1500Vrms
RoHSДа
Мин. количество в упаковке (MPQ)1
Срок поставки1-3 дн.
Количество на складе10
ДаташитДаташит (PDF)

Описание

STGIPQ3H60T-HZS — Силовые драйверные модули, производитель STMicroelectronics. Корпус: DIP-26. Основные параметры: Тип: IGBT; Напряжение изоляции: 1500Vrms. Наличие, цены по количеству и сроки поставки подтверждаются при обращении к нам.