RoHS1030−µF8.0MRF
W25Q80DVSNIG TRФото приведено для справки; внешний вид реальной детали может отличаться.

W25Q80DVSNIG TR

Производитель: Winbond

Время стирания блока: 200 мс@(64 КБ); Циклы записи/стирания: 100,000 циклов; Ток потребления в режиме ожидания: 10 мкА · SOIC-8 · Микросхемы памяти

ДаташитСоответствует RoHS
Количество на складе24,205
Срок поставки1-3 дн.
Мин. количество в упаковке (MPQ)1

Цены по количеству (USD)

КоличествоЦена за шт.
1+$1.0216
10+$0.8994
30+$0.8384
100+$0.7773
500+$0.741
1,000+$0.6932
Итого:

+86 13760275678 · [email protected]

Цены и наличие носят справочный характер — подтвердите при обращении.

Характеристики

АртикулW25Q80DVSNIG TR
ПроизводительWinbond
КатегорияИнтегральные схемы (ИС)
ПодкатегорияМикросхемы памяти
КорпусSOIC-8
Время стирания блока200 мс@(64 КБ)
Циклы записи/стирания100,000 циклов
Ток потребления в режиме ожидания10 мкА
RoHSДа
Мин. количество в упаковке (MPQ)1
Срок поставки1-3 дн.
Количество на складе24,205
ДаташитДаташит (PDF)

Описание

W25Q80DVSNIG TR — Микросхемы памяти, производитель Winbond. Корпус: SOIC-8. Основные параметры: Время стирания блока: 200 мс@(64 КБ); Циклы записи/стирания: 100,000 циклов; Ток потребления в режиме ожидания: 10 мкА. Наличие, цены по количеству и сроки поставки подтверждаются при обращении к нам.

Похожие товары