图片仅供参考，实物外观可能有所不同。块擦除时间: 200ms@(64KB); 编程/擦除次数: 100,000 次; 待机电源电流: 10uA · SOIC-8 · 存储芯片
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | $1.0216 |
| 10+ | $0.8994 |
| 30+ | $0.8384 |
| 100+ | $0.7773 |
| 500+ | $0.741 |
| 1,000+ | $0.6932 |
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价格与库存为参考数据，请联系我们确认。
| 产品型号 | W25Q80DVSNIG TR |
|---|---|
| 制造商 | Winbond |
| 分类 | 集成电路 (IC) |
| 子分类 | 存储芯片 |
| 封装 | SOIC-8 |
| 块擦除时间 | 200ms@(64KB) |
| 编程/擦除次数 | 100,000 次 |
| 待机电源电流 | 10uA |
| RoHS | 是 |
| 最小包装数量 (MPQ) | 1 |
| 交货期 | 1-3 天 |
| 库存数量 | 24,205 |
| 数据手册 | 数据手册 (PDF) |
W25Q80DVSNIG TR — Winbond 的存储芯片。 封装：SOIC-8。 主要参数：块擦除时间: 200ms@(64KB); 编程/擦除次数: 100,000 次; 待机电源电流: 10uA。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。
