图片仅供参考，实物外观可能有所不同。正向电压: 600mV@10mA; 反向漏电流: 250nA@3V; 二极管配置: 独立 · SOT-23 · 射频二极管
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 5+ | $0.1154 |
| 50+ | $0.0907 |
| 150+ | $0.0783 |
| 500+ | $0.069 |
| 3,000+ | $0.0616 |
| 6,000+ | $0.0579 |
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价格与库存为参考数据，请联系我们确认。
| 产品型号 | MMBD101LT1G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体 |
| 子分类 | 射频二极管 |
| 封装 | SOT-23 |
| 正向电压 | 600mV@10mA |
| 反向漏电流 | 250nA@3V |
| 二极管配置 | 独立 |
| RoHS | 是 |
| 最小包装数量 (MPQ) | 5 |
| 交货期 | 1-3 天 |
| 库存数量 | 1,950 |
| 数据手册 | 数据手册 (PDF) |
MMBD101LT1G — onsemi 的射频二极管。 封装：SOT-23。 主要参数：正向电压: 600mV@10mA; 反向漏电流: 250nA@3V; 二极管配置: 独立。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。
