图片仅供参考,实物外观可能有所不同。正向电压: 1V@10mA; 反向漏电流: 200nA@35V; 二极管配置: 1 路独立 · SOT-23 · 射频二极管
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 10+ | $0.0576 |
| 100+ | $0.0452 |
| 300+ | $0.039 |
| 3,000+ | $0.0331 |
| 6,000+ | $0.0293 |
| 9,000+ | $0.0275 |
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| 产品型号 | MMBD701LT1G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体 |
| 子分类 | 射频二极管 |
| 封装 | SOT-23 |
| 正向电压 | 1V@10mA |
| 反向漏电流 | 200nA@35V |
| 二极管配置 | 1 路独立 |
| RoHS | 是 |
| 最小包装数量 (MPQ) | 10 |
| 交货期 | 1-3 天 |
| 库存数量 | 6,560 |
| 数据手册 | 数据手册 (PDF) |
MMBD701LT1G — onsemi 的射频二极管。 封装:SOT-23。 主要参数:正向电压: 1V@10mA; 反向漏电流: 200nA@35V; 二极管配置: 1 路独立。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。