RoHS1030−µF8.0MRF
MMBD701LT1G图片仅供参考,实物外观可能有所不同。

MMBD701LT1G

制造商: onsemi

正向电压: 1V@10mA; 反向漏电流: 200nA@35V; 二极管配置: 1 路独立 · SOT-23 · 射频二极管

数据手册符合 RoHS
库存数量6,560
交货期1-3 天
最小包装数量 (MPQ)10

阶梯价格(美元)

数量单价
10+$0.0576
100+$0.0452
300+$0.039
3,000+$0.0331
6,000+$0.0293
9,000+$0.0275
总价:

+86 13760275678 · [email protected]

价格与库存为参考数据,请联系我们确认。

规格参数

产品型号MMBD701LT1G
制造商onsemi
分类分立半导体
子分类射频二极管
封装SOT-23
正向电压1V@10mA
反向漏电流200nA@35V
二极管配置1 路独立
RoHS是
最小包装数量 (MPQ)10
交货期1-3 天
库存数量6,560
数据手册数据手册 (PDF)

产品描述

MMBD701LT1G — onsemi 的射频二极管。 封装:SOT-23。 主要参数:正向电压: 1V@10mA; 反向漏电流: 200nA@35V; 二极管配置: 1 路独立。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。