RoHS1030−µF8.0MRF
2SK208-GR(TE85L,F)图片仅供参考,实物外观可能有所不同。

2SK208-GR(TE85L,F)

制造商: Toshiba

漏极电流: 2.6mA@10V; 输入电容 (Ciss): 8.2pF@10V; 功耗 (Pd): 100mW · SC-59 · 结型场效应管 (JFET)

数据手册符合 RoHS
库存数量2,695
交货期1-3 天
最小包装数量 (MPQ)5

阶梯价格(美元)

数量单价
5+$0.1206
50+$0.1055
150+$0.098
500+$0.0924
3,000+$0.0722
6,000+$0.0699
总价:

+86 13760275678 · [email protected]

价格与库存为参考数据,请联系我们确认。

规格参数

产品型号2SK208-GR(TE85L,F)
制造商Toshiba
分类分立半导体
子分类结型场效应管 (JFET)
封装SC-59
漏极电流2.6mA@10V
输入电容 (Ciss)8.2pF@10V
功耗 (Pd)100mW
RoHS是
最小包装数量 (MPQ)5
交货期1-3 天
库存数量2,695
数据手册数据手册 (PDF)

产品描述

2SK208-GR(TE85L,F) — Toshiba 的结型场效应管 (JFET)。 封装:SC-59。 主要参数:漏极电流: 2.6mA@10V; 输入电容 (Ciss): 8.2pF@10V; 功耗 (Pd): 100mW。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。