图片仅供参考，实物外观可能有所不同。FET 类型: 1 个 N 沟道; 漏极电流: 2.6mA@10V; 输入电容 (Ciss): 8.2pF@10V · SC-70(SOT-323) · 结型场效应管 (JFET)
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | $0.4409 |
| 10+ | $0.3508 |
| 30+ | $0.3131 |
| 100+ | $0.2639 |
| 500+ | $0.2426 |
| 1,000+ | $0.2295 |
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| 产品型号 | 2SK879-GR(TE85L,F) |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba |
| 分类 | 分立半导体 |
| 子分类 | 结型场效应管 (JFET) |
| 封装 | SC-70(SOT-323) |
| FET 类型 | 1 个 N 沟道 |
| 漏极电流 | 2.6mA@10V |
| 输入电容 (Ciss) | 8.2pF@10V |
| RoHS | 是 |
| 最小包装数量 (MPQ) | 1 |
| 交货期 | 1-3 天 |
| 库存数量 | 145 |
| 数据手册 | 数据手册 (PDF) |
2SK879-GR(TE85L,F) — Toshiba 的结型场效应管 (JFET)。 封装：SC-70(SOT-323)。 主要参数：FET 类型: 1 个 N 沟道; 漏极电流: 2.6mA@10V; 输入电容 (Ciss): 8.2pF@10V。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。
