RoHS1030−µF8.0MRF
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2SK880-Y(TE85L,F)

制造商: Toshiba

漏极电流: 1.2mA@10V; 输入电容 (Ciss): 13pF@10V; 功耗 (Pd): 100mW · SOT-323 · 结型场效应管 (JFET)

数据手册符合 RoHS
库存数量1,990
交货期1-3 天
最小包装数量 (MPQ)5

阶梯价格(美元)

数量单价
5+$0.2209
50+$0.1754
150+$0.1559
500+$0.1315
3,000+$0.1207
6,000+$0.1142
总价:

+86 13760275678 · [email protected]

价格与库存为参考数据,请联系我们确认。

规格参数

产品型号2SK880-Y(TE85L,F)
制造商Toshiba
分类分立半导体
子分类结型场效应管 (JFET)
封装SOT-323
漏极电流1.2mA@10V
输入电容 (Ciss)13pF@10V
功耗 (Pd)100mW
RoHS是
最小包装数量 (MPQ)5
交货期1-3 天
库存数量1,990
数据手册数据手册 (PDF)

产品描述

2SK880-Y(TE85L,F) — Toshiba 的结型场效应管 (JFET)。 封装:SOT-323。 主要参数:漏极电流: 1.2mA@10V; 输入电容 (Ciss): 13pF@10V; 功耗 (Pd): 100mW。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。