RoHS1030−µF8.0MRF
2SK208-O(TE85L,F)图片仅供参考,实物外观可能有所不同。

2SK208-O(TE85L,F)

制造商: Toshiba

FET 类型: 1 个 N 沟道; 漏极电流: 600uA@10V; 工作温度: -55℃~+125℃ · SC-59 · 结型场效应管 (JFET)

数据手册符合 RoHS
库存数量168
交货期1-3 天
最小包装数量 (MPQ)1

阶梯价格(美元)

数量单价
1+$0.4229
10+$0.3327
30+$0.295
100+$0.2475
500+$0.2262
1,000+$0.2131
总价:

+86 13760275678 · [email protected]

价格与库存为参考数据,请联系我们确认。

规格参数

产品型号2SK208-O(TE85L,F)
制造商Toshiba
分类分立半导体
子分类结型场效应管 (JFET)
封装SC-59
FET 类型1 个 N 沟道
漏极电流600uA@10V
工作温度-55℃~+125℃
RoHS是
最小包装数量 (MPQ)1
交货期1-3 天
库存数量168
数据手册数据手册 (PDF)

产品描述

2SK208-O(TE85L,F) — Toshiba 的结型场效应管 (JFET)。 封装:SC-59。 主要参数:FET 类型: 1 个 N 沟道; 漏极电流: 600uA@10V; 工作温度: -55℃~+125℃。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。