图片仅供参考，实物外观可能有所不同。FET 类型: 1 个 N 沟道; 输入电容 (Ciss): 8.2pF@10V; 功耗 (Pd): 100mW · TO-236-3(SOT-23-3) · 结型场效应管 (JFET)
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 5+ | $0.2671 |
| 50+ | $0.2091 |
| 150+ | $0.1843 |
| 500+ | $0.1533 |
| 3,000+ | $0.1394 |
| 6,000+ | $0.1312 |
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| 产品型号 | 2SK208-R(TE85L,F) |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba |
| 分类 | 分立半导体 |
| 子分类 | 结型场效应管 (JFET) |
| 封装 | TO-236-3(SOT-23-3) |
| FET 类型 | 1 个 N 沟道 |
| 输入电容 (Ciss) | 8.2pF@10V |
| 功耗 (Pd) | 100mW |
| RoHS | 是 |
| 最小包装数量 (MPQ) | 5 |
| 交货期 | 1-3 天 |
| 库存数量 | 2,515 |
| 数据手册 | 数据手册 (PDF) |
2SK208-R(TE85L,F) — Toshiba 的结型场效应管 (JFET)。 封装：TO-236-3(SOT-23-3)。 主要参数：FET 类型: 1 个 N 沟道; 输入电容 (Ciss): 8.2pF@10V; 功耗 (Pd): 100mW。 库存、阶梯价格和交货期在您联系我们后确认。
